На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFI9520G | IRFI9520GPBF | IRFI9520N | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | ||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <37 Вт | <37 Вт | <30 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.2 А | <5.2 А | <5.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <600 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||