На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFI840G | IRFI840GLC | IRFI840GLCPBF | IRFI840GPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | |||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <40 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V | 1.3 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.6 А | <4.5 А | <4.5 А | <4.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <850 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <850 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V | <850 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V | <850 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 67 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V | 67 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||