На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFI740BTU | IRFI740G | IRFI740GLC | IRFI740GLCPBF | IRFI740GPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <3.13 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.8 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <400 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | <5.4 А | <5.7 А | <5.7 А | <5.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <540 мОмId, Vgs = 5A, 10V | <550 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V | <550 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <550 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <550 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V |
Заряд затвору | QG | 53 нCVgs = 10V | 66 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V | 66 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||