На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFI530G | IRFI530GPBF | IRFI530N | IRFI530NPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <42 Вт | <42 Вт | <41 Вт | <41 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 670 пФVds = 25V | 670 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.7 А | <9.7 А | <12 А | <12 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | <110 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <110 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 33 нCVgs = 10V | 33 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||