На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFD010PBF | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-DIP, HVMDIP |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 250 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <50 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 860mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |