На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFBG30L | IRFBG30PBF | IRFBG30S | IRFBG30STRL | IRFBG30STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <125 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 980 пФVds = 25V | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.1 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 80 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||