На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFBF30L | IRFBF30PBF | IRFBF30S | IRFBF30SPBF | IRFBF30STRL | IRFBF30STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <125 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <900 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.6 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.7 ОмId, Vgs = 2.2A, 10V | |||||
Заряд затвору | QG | 78 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||