На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFBE30L | IRFBE30LPBF | IRFBE30PBF | IRFBE30S | IRFBE30SPBF | IRFBE30STRL | IRFBE30STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <125 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 25V | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.1 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | ||||||
Заряд затвору | QG | 78 нCVgs = 10V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||