На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFBA90N20D | IRFBA90N20DPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Super-220™-3 (Straight Leads) | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <650 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.08 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <98 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <23 мОмId, Vgs = 59A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 240 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |