IRFB9

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IRFB9N30A	IRFB9N30APBF	IRFB9N60A	IRFB9N60APBF	IRFB9N65A	IRFB9N65APBF
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник	Виробник	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<96 Вт	<96 Вт	<170 Вт	<170 Вт	<167 Вт	<167 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	920 пФVds = 25V	920 пФVds = 25V	1.4 нФVds = 25V	1.4 нФVds = 25V	1.417 нФVds = 25V	1.417 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<300 В	<300 В	<600 В	<600 В	<650 В	<650 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<9.3 А	<9.3 А	<9.2 А	<9.2 А	<8.5 А	<8.5 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<450 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<450 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<750 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V	<750 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V	<930 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V	<930 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	33 нCVgs = 10V	33 нCVgs = 10V	49 нCVgs = 10V	49 нCVgs = 10V	48 нCVgs = 10V	48 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard