На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB4229PBF | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB |
Виробник | Виробник | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <330 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.56 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <250 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <46 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <46 мОмId, Vgs = 26A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |