На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB4110GPBF | IRFB4110PBF | IRFB4110QPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220AB |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <370 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.62 нФVds = 50V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <120 А | <120 А | <180 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 210 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||