На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB3307PBF | IRFB3307ZGPBF | IRFB3307ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220AB | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <250 Вт | <230 Вт | <230 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.15 нФVds = 50V | 4.75 нФVds = 50V | 4.75 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <130 А | <120 А | <120 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <5.8 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <5.8 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 180 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||