На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB3207PBF | IRFB3207ZPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <330 Вт | <300 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.6 нФVds = 50V | 6.92 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <180 А | <120 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 260 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |