На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB23N15D | IRFB23N15DPBF | IRFB23N20D | IRFB23N20DPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <3.8 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 1.96 нФVds = 25V | 1.96 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | <150 В | <200 В | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <23 А | <23 А | <24 А | <24 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 56 нCVgs = 10V | 56 нCVgs = 10V | 86 нCVgs = 10V | 86 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||