На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB17N20D | IRFB17N20DPBF | IRFB17N50L | IRFB17N50LPBF | IRFB17N60K | IRFB17N60KPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||
Потужність | P | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <220 Вт | <220 Вт | <340 Вт | <340 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V | 2.76 нФVds = 25V | 2.76 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | <200 В | <500 В | <500 В | <600 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | <16 А | <16 А | <16 А | <17 А | <17 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.8A, 10V | <170 мОмId, Vgs = 9.8A, 10V | <320 мОмId, Vgs = 9.9A, 10V | <320 мОмId, Vgs = 9.9A, 10V | <420 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <420 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V | 50 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 99 нCVgs = 10V | 99 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||