На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFB16N50K | IRFB16N50KPBF | IRFB16N60LPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | ||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <280 Вт | <280 Вт | <310 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.21 нФVds = 25V | 2.21 нФVds = 25V | 2.72 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | <500 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <17 А | <17 А | <16 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <350 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <460 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Заряд затвору | QG | 89 нCVgs = 10V | 89 нCVgs = 10V | 100 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||