На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF8707GPBF | IRF8707GTRPBF | IRF8707PBF | IRF8707TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC (3.9mm Width) | SO-8 |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 760 пФVds = 15V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11.9 мОмId, Vgs = 11A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 9.3 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||