IRF7832TR

IRF7832, IRF7832PBF, IRF7832TR, IRF7832TRPBF, IRF7832Z, IRF7832ZPBF, IRF7832ZTR, IRF7832ZTRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF7832PBFIRF7832TRIRF7832TRPBFIRF7832ZIRF7832ZPBFIRF7832ZTRIRF7832ZTRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)8-SOIC (3.9mm Width), SO-8
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.31 нФVds = 15V4.31 нФVds = 15V4.31 нФVds = 15V3.86 нФVds = 15V3.86 нФVds = 15V3.86 нФVds = 15V3.86 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<20 А<20 А<20 А<21 А<21 А<21 А<21 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V<3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V<3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V<3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V<3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
51 нCVgs = 4.5V51 нCVgs = 4.5V51 нCVgs = 4.5V45 нCVgs = 4.5V45 нCVgs = 4.5V45 нCVgs = 4.5V45 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate