На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7832PBF | IRF7832TR | IRF7832TRPBF | IRF7832Z | IRF7832ZPBF | IRF7832ZTR | IRF7832ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.31 нФVds = 15V | 4.31 нФVds = 15V | 4.31 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <20 А | <20 А | <20 А | <21 А | <21 А | <21 А | <21 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||
Заряд затвору | QG | 51 нCVgs = 4.5V | 51 нCVgs = 4.5V | 51 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||