На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7822PBF | IRF7822TR | IRF7822TRL | IRF7822TRPBF | IRF7822TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <3.1 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.5 нФVds = 16V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 60 нCVgs = 5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||