IRF7809A

IRF7809, IRF7809A, IRF7809ATR, IRF7809AV, IRF7809AVPBF, IRF7809AVTR, IRF7809AVTRPBF, IRF7809PBF, IRF7809TR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRF7809A	IRF7809ATR	IRF7809AV	IRF7809AVPBF	IRF7809AVTR	IRF7809AVTRPBF	IRF7809PBF	IRF7809TR
Корпус мікросхеми	Корпус	8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник	Виробник	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<3.5 Вт	<3.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	7.3 нФVds = 16V	7.3 нФVds = 16V	3.78 нФVds = 16V	3.78 нФVds = 16V	3.78 нФVds = 16V	3.78 нФVds = 16V	7.3 нФVds = 16V	7.3 нФVds = 16V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<28 В	<30 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<14.5 А	<14.5 А	<13.3 А	<13.3 А	<13.3 А	<13.3 А	<14.5 А	<17.6 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V	<7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	62 нCVgs = 5V	62 нCVgs = 5V	62 нCVgs = 5V	62 нCVgs = 5V	86 нCVgs = 5V	86 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard