На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7809A | IRF7809ATR | IRF7809AV | IRF7809AVPBF | IRF7809AVTR | IRF7809AVTRPBF | IRF7809PBF | IRF7809TR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <3.5 Вт | <3.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.3 нФVds = 16V | 7.3 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 7.3 нФVds = 16V | 7.3 нФVds = 16V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <28 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <14.5 А | <14.5 А | <13.3 А | <13.3 А | <13.3 А | <13.3 А | <14.5 А | <17.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 75 нCVgs = 5V | 75 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 86 нCVgs = 5V | 86 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |