На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7478PBF | IRF7478QPBF | IRF7478QTRPBF | IRF7478TR | IRF7478TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.74 нФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <7 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <26 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 31 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||