На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7452PBF | IRF7452QPBF | IRF7452QTRPBF | IRF7452TR | IRF7452TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 930 пФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.5 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||