IRF7353

IRF7353, IRF7353D1, IRF7353D1PBF, IRF7353D1TR, IRF7353D1TRPBF, IRF7353D2, IRF7353D2PBF, IRF7353D2TR, IRF7353D2TRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF7353D1IRF7353D1PBFIRF7353D1TRIRF7353D1TRPBFIRF7353D2IRF7353D2PBFIRF7353D2TRIRF7353D2TRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
650 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<6.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
Серія MOSFET
Серія
FETKY™
Заряд затвору
QG
33 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)