На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7342D2PBF | IRF7342D2TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | SO-8 |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 690 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <105 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | FETKY™ | |
Заряд затвору | QG | 38 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |