На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF7202TR | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.6 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 270 пФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |