IRF6722MTR1PBF

IRF6722, IRF6722MTR1PBF, IRF6722MTRPBF, IRF6722STR1PBF, IRF6722STRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF6722MTR1PBFIRF6722MTRPBFIRF6722STR1PBFIRF6722STRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DirectFET™ Isometric MPDirectFET™ Isometric MPDirectFET™ Isometric STDirectFET™ Isometric ST
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.3 Вт<2.3 Вт<2.2 Вт<2.2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.3 нФVds = 15V1.3 нФVds = 15V1.32 нФVds = 15V1.32 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<13 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<7.7 мОмId, Vgs = 13A, 10V<7.7 мОмId, Vgs = 13A, 10V<7.3 мОмId, Vgs = 13A, 10V<7.3 мОмId, Vgs = 13A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
17 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate