На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF6710S2TR1PBF | IRF6710S2TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DirectFET™ Isometric S1 | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.8 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.19 нФVds = 13V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.9 мОмId, Vgs = 12A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |