На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF6633ATR1PBF | IRF6633TR1PBF | IRF6633TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DirectFET™ Isometric MU | DirectFET™ Isometric MP | DirectFET™ Isometric MP |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <2.3 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.41 нФVds = 10V | 1.25 нФVds = 10V | 1.25 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.6 мОмId, Vgs = 16A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||