IRF6633

IRF6633, IRF6633ATR1PBF, IRF6633TR1PBF, IRF6633TRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF6633ATR1PBFIRF6633TR1PBFIRF6633TRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DirectFET™ Isometric MUDirectFET™ Isometric MPDirectFET™ Isometric MP
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.41 нФVds = 10V1.25 нФVds = 10V1.25 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<16 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<5.6 мОмId, Vgs = 16A, 10V
Заряд затвору
QG
17 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate