IRF6626TR1

IRF6626, IRF6626TR1, IRF6626TR1PBF, IRF6626TRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF6626TR1IRF6626TR1PBFIRF6626TRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DirectFET™ Isometric ST
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.38 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<16 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<5.4 мОмId, Vgs = 16A, 10V
Заряд затвору
QG
29 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate