IRF640,127

IRF640, IRF640,127, IRF640FP, IRF640L, IRF640LPBF, IRF640N, IRF640NL, IRF640NLPBF, IRF640NPBF, IRF640NS, IRF640NSPBF, IRF640NSTRL, IRF640NSTRLPBF, IRF640NSTRR, IRF640NSTRRPBF, IRF640PBF, IRF640S, IRF640SPBF, IRF640STRL, IRF640STRLPBF, IRF640STRR, IRF640STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRF640,127	IRF640FP	IRF640L	IRF640LPBF	IRF640N	IRF640NL	IRF640NLPBF	IRF640NPBF	IRF640NS	IRF640NSPBF	IRF640NSTRL	IRF640NSTRLPBF	IRF640NSTRR	IRF640NSTRRPBF	IRF640PBF	IRF640S	IRF640SPBF	IRF640STRL	IRF640STRLPBF	IRF640STRR	IRF640STRRPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220AB-3	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	STMicroelectronics	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<136 Вт	<40 Вт	<130 Вт	<130 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<150 Вт	<125 Вт	<130 Вт	<130 Вт	<130 Вт	<130 Вт	<130 Вт	<130 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.85 нФVds = 25V	1.56 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.16 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V	1.3 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<16 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А	<18 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<180 мОмId, Vgs = 8A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 9A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 11A, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchMOS™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™	MESH OVERLAY™
Заряд затвору	Q_G	63 нCVgs = 10V	72 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	67 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V	70 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Logic Level Gate	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard