На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF630B_FP001 | IRF630BTSTU_FP001 | IRF630FP | IRF630L | IRF630N | IRF630NL | IRF630NLPBF | IRF630NPBF | IRF630NS | IRF630NSPBF | IRF630NSTRL | IRF630NSTRLPBF | IRF630NSTRR | IRF630NSTRRPBF | IRF630PBF | IRF630S | IRF630SPBF | IRF630STRL | IRF630STRR | IRF630STRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220FP | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | STMicroelectronics | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <72 Вт | <72 Вт | <30 Вт | <3 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <82 Вт | <74 Вт | <3 Вт | <3 Вт | <3 Вт | <3 Вт | <3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 720 пФVds = 25V | 720 пФVds = 25V | 700 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 575 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||||||||||||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | <9 А | <9 А | <9 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9.3 А | <9 А | <9 А | <9 А | <9 А | <9 А | <9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||||||||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V | <400 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ | MESH OVERLAY™ |
Заряд затвору | QG | 29 нCVgs = 10V | 29 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V | 43 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |