IRF620L

IRF620, IRF620B_FP001, IRF620L, IRF620PBF, IRF620S, IRF620SPBF, IRF620STRL, IRF620STRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF620B_FP001IRF620LIRF620PBFIRF620SIRF620SPBFIRF620STRLIRF620STRR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<47 Вт<3 Вт<50 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
390 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<800 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerMESH™
Заряд затвору
QG
16 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard