IRF614PBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IRF614L	IRF614PBF	IRF614S	IRF614SPBF	IRF614STRL	IRF614STRR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<3.1 Вт	<36 Вт	<3.1 Вт	<3.1 Вт	<3.1 Вт	<3.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	140 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<250 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<2.7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<2 ОмId, Vgs = 1.6A, 10V
Заряд затвору	Q_G	8.2 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard