IRF610L

IRF610, IRF610L, IRF610LPBF, IRF610PBF, IRF610S, IRF610SPBF, IRF610STRL, IRF610STRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF610LIRF610LPBFIRF610PBFIRF610SIRF610SPBFIRF610STRLIRF610STRR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<3 Вт<3 Вт<36 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
140 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<3.3 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 2A, 10V
Заряд затвору
QG
8.2 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard