На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF5803D2 | IRF5803D2PBF | IRF5803D2TR | IRF5803D2TRPBF | IRF5803TR | IRF5803TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP, 8-SOIC (3.9mm Width) | 6-TSOP, 8-SOIC (3.9mm Width) | 6-TSOP, 8-SOIC (3.9mm Width) | 6-TSOP, SO-8 | 6-TSOP, Micro6™(TSOP-6) | 6-TSOP, 6-TSOP |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <2 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.11 нФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.4 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <112 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 37 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | Diode (Isolated) | Diode (Isolated) | Diode (Isolated) | Logic Level Gate | Logic Level Gate |