На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF5802TR | IRF5802TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Micro6™(TSOP-6), Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6), 6-TSOP |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 88 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <900 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.2 ОмId, Vgs = 540mA, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 6.8 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |