IRF5305

IRF5305, IRF5305L, IRF5305LPBF, IRF5305PBF, IRF5305S, IRF5305SPBF, IRF5305STRL, IRF5305STRLPBF, IRF5305STRR, IRF5305STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF5305LIRF5305LPBFIRF5305PBFIRF5305SIRF5305SPBFIRF5305STRLIRF5305STRLPBFIRF5305STRRIRF5305STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<3.8 Вт<3.8 Вт<110 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.2 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<31 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<60 мОмId, Vgs = 16A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
63 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard