IRF510L

IRF510, IRF510L, IRF510PBF, IRF510S, IRF510SPBF, IRF510STRL, IRF510STRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF510LIRF510PBFIRF510SIRF510SPBFIRF510STRLIRF510STRR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<3.7 Вт<43 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
180 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5.6 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<540 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
Заряд затвору
QG
8.3 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard