На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF4104L | IRF4104LPBF | IRF4104PBF | IRF4104S | IRF4104SPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <140 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3 нФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 100 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||