На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF3808LPBF | IRF3808PBF | IRF3808SPBF | IRF3808STRLPBF | IRF3808STRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <200 Вт | <330 Вт | <200 Вт | <200 Вт | <200 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.31 нФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <106 А | <140 А | <106 А | <106 А | <106 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7 мОмId, Vgs = 82A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 220 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||