IRF3708L

IRF3708, IRF3708L, IRF3708PBF, IRF3708S, IRF3708SPBF, IRF3708STRL, IRF3708STRLPBF, IRF3708STRR, IRF3708STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF3708LIRF3708PBFIRF3708SIRF3708SPBFIRF3708STRLIRF3708STRLPBFIRF3708STRRIRF3708STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<87 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.417 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<62 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<12 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
24 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate