IRF3706

IRF3706, IRF3706L, IRF3706LPBF, IRF3706PBF, IRF3706S, IRF3706SPBF, IRF3706STRL, IRF3706STRLPBF, IRF3706STRR, IRF3706STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF3706LIRF3706LPBFIRF3706PBFIRF3706SIRF3706SPBFIRF3706STRLIRF3706STRLPBFIRF3706STRRIRF3706STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<88 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.41 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<77 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
35 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate