IRF3515LPBF

IRF3515, IRF3515L, IRF3515LPBF, IRF3515S, IRF3515SPBF, IRF3515STRL, IRF3515STRLPBF, IRF3515STRR, IRF3515STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF3515LIRF3515LPBFIRF3515SIRF3515SPBFIRF3515STRLIRF3515STRLPBFIRF3515STRRIRF3515STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<200 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.26 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<150 В
Постійний струм стоку
IDSS
<41 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
107 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard