IRF3315LPBF

IRF3315, IRF3315L, IRF3315LPBF, IRF3315PBF, IRF3315S, IRF3315SPBF, IRF3315STRL, IRF3315STRLPBF, IRF3315STRR, IRF3315STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRF3315LIRF3315LPBFIRF3315PBFIRF3315SIRF3315SPBFIRF3315STRLIRF3315STRLPBFIRF3315STRRIRF3315STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<3.8 Вт<3.8 Вт<94 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.3 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<150 В
Постійний струм стоку
IDSS
<21 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<82 мОмId, Vgs = 12A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
95 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard