На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRF3007LPBF | IRF3007PBF | IRF3007SPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-262 | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <120 Вт | <200 Вт | <120 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.27 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <62 А | <75 А | <62 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12.6 мОмId, Vgs = 48A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 130 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||