IRF2907ZPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IRF2907ZLPBF	IRF2907ZPBF	IRF2907ZS-7PPBF	IRF2907ZSPBF	IRF2907ZSTRL7PP	IRF2907ZSTRLPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-262	TO-220-3 (Straight Leads)	D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	7.5 нФVds = 25V	7.5 нФVds = 25V	7.58 нФVds = 25V	7.5 нФVds = 25V	7.58 нФVds = 25V	7.5 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<75 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<75 А	<75 А	<160 А	<75 А	<160 А	<75 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V	<4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V	<3.8 мОмId, Vgs = 110A, 10V	<4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V	<3.8 мОмId, Vgs = 110A, 10V	<4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	270 нCVgs = 10V	270 нCVgs = 10V	260 нCVgs = 10V	270 нCVgs = 10V	260 нCVgs = 10V	270 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard